（第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续1） 第3章作业：题3-1，3-2，3
第2讲 （第2章 晶体二极管及应用电路 续） 第2章测试
1、 问题:N型半导体是在本征半导体中掺入（ ）
选项：
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 【五价元素】
2、 问题:P型半导体是在本征半导体中掺入（ ）
选项：
A:五价元素
B:四价元素
C:三价元素
D:二价元素
答案: 【三价元素】
3、 问题:当温度升高时，二极管的反向饱和电流会 （ ） 。
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:随机态
答案: 【增大】
4、 问题:当温度升高时，二极管导通压降会（ ） 。
选项：
A:增大
B: 减小
C:不变
D:随机态
答案: 【 减小】
5、 问题:PN结电容包括（ ）。
选项：
A:势垒电容和扩散电容
B:耦合电容和旁路电容
C:垒电容和耦合电容
D:散电容和旁路电容
答案: 【势垒电容和扩散电容】
6、 问题:本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
7、 问题:P型半导体带正电，N型半导体带负电。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【错误】
8、 问题:在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
9、 问题:PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
10、 问题:在P型半导体中如果掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 【正确】
【作业】第2讲 （第2章 晶体二极管及应用电路 续） 第2章作业 题 2-1，2-2， 2-3， 2-4， 2-5
1、 问题:
评分规则: 【 
】
2、 问题:
评分规则: 【 
】
3、 问题:
评分规则: 【 
】
4、 问题:
评分规则: 【 
】
5、 问题:
评分规则: 【 
】
【作业】第4讲 （第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续1） 第3章作业：题3-1，3-2，3-3，3-4
1、 问题:
评分规则: 【 
】
2、 问题:
评分规则: 【 
】
3、 问题:
评分规则: 【 
】
4、 问题:
评分规则: 【 
】
【作业】第5讲 （第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续2） 第3章作业：题3-5，3-6，3-7，3-8
1、 问题:
评分规则: 【 
】
2、 问题:
评分规则: 【 
】
3、 问题:
评分规则: 【 
】
4、 问题:
评分规则: 【 
】
【作业】第6讲 （第3章 晶体三极管及其基本放大电路 续3） 第3章作业：题3-9，3-10，3-11
1、 问题:
评分规则: 【 
】
2、 问题:
评分规则: 【 
】
3、 问题:题3-11有一定的难度，学生们可以作为任选题。
评分规则: 【 
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第3章 测试 第3章 测试 (题库中有55题，每次随机抽取15题）
1、 问题:晶体三极管工作在放大区时，具有如下特点
选项：
A:发射结正偏，集电结反偏。
B:发射结反偏，集电结正偏。
C:发射结正偏，集电结正偏。
D:发射结反偏，集电结反偏。
答案: 【发射结正偏，集电结反偏。】
2、 问题:晶体三极管工作在饱和区时，具有如下特点
选项：
A:发射结正偏，集电结反偏。
B:发射结反偏，集电结正偏。
C:发射结正偏，集电结正偏。
D:发射结反偏，集电结反偏。
答案: 【发射结正偏，集电结正偏。】
3、 问题:在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。
选项：
A:共射
B:共集
C:共基
D:不确定，取决于外围电路。
答案: 【共集】
4、 问题:对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈VCC时，有可能是因为______。
选项：
A:RB开路
B: RC开路
C:RB短路
D:RB过小
答案: 【RB开路】
5、 问题:对于下图所示放大电路，当用直流电压表测得UCE≈0时，有可能是因为__。
选项：
A:RB开路
B: RC开路
C:RB短路
D:RB过小
点击这里，查看后续答案①
点击这里，查看后续答案②（阿布查查更好用）
-3，3-4 1、 问题: 评分规则: 【 】 2、 问题: 评分规则: 【 】