A:0.32mA，16mA B:0.34mA，17mA C:0.36mA，18mA D:0.38mA，20mA 答案: 0.34mA，17mA在图(a)所示电路中，三只二极管参数相同，示于图(b)，晶体三极管参数为：导通电压 ， 。若ABC 点我阅读全文
已知锗PN结的反向饱和电流为10-8 。当外加电压 为0.2V0.36V及0.4V时，求室温下流过PN结的电流 为多少？ ( )A:7mA B:1mA C:5mA D:3mA 答案: 5mAA:10.3mA48mA21.91μA B:4 点我阅读全文
《电子线路基础》课程具有工程性基础性和实践性的特点。已知 , 求ID。（ ） 图3-3 A:2.0mA B:1.5mA C:1.0mA D:0.5mA 答案: 1.0mAA:错 B:对 答案: 对一个N沟道EMOSFET组成的电路如图 点我阅读全文
《电子线路基础》课程属于电子信息类相关本科专业重要的专业课，内容以介绍数字电子电路相关知识为主。 如图所示曲线为某场效应管的输出特性曲线，它是哪一种类型的场效应管？ （ ） A:错 B:对 答案: 错 A:P沟道耗尽型 B:N沟道耗尽型 点我阅读全文
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在 时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ， 答案: ，在下图所示电路中 点我阅读全文
如图所示电路， 已知二极管参数 ， ， ， ， ，试求通过二极管的电流 。( )A:（13.16+0.15sinωt）mA B:（6.84+0.37sinωt）mA C:（13.16+0.37sinωt）mA D:（6.84+0.15s 点我阅读全文
在NPN型晶体三极管中，发射结正偏，集电结反偏。已知 ， ， 忽略不计。试求温室时 时 和 值。 （ ）A:15.62mA，15.33mA，340μA B:14.23mA，14.20mA，270mA C:16.45mA，16.30 点我阅读全文
已知晶体三极管静态工作点电流 ， ，求其参数 。（ ）A:99.21 mS，1012Ω B:96.25 mS，1039Ω C:95.23 mS，1040Ω D:98.62 mS，1023Ω 答案: 96.25 mS，1039Ω 点我阅读全文