若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中

娩敌胶舅吧伸烫鳖挪蓖却恼琴

韩绣蔚段贫孰葡巷幂江伟劫躲

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中，假设两管μnCox相同，，，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比（W/l）是T2管的5倍，且T2管工作于饱和区。试问流过电阻R的电流IR值。（）

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若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第1张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第2张

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《电子线路基础》课程属于电子信息类相关本科专业重要的专业课，内容以介绍数字电子电路相关知识为主。

A:错
B:对
答案: 错

《电子线路基础》课程具有工程性基础性和实践性的特点。

A:错
B:对
答案: 对

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第4张

时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( )

A: 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第6张

，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第8张

B: 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第11张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第14张

C: 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第16张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第18张

D: 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第20张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第22张

答案: 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

已知锗PN结的反向饱和电流为10-8 若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第30张

。当外加电压若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第32张

为0.2V0.36V及0.4V时，求室温下流过PN结的电流若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第34张

为多少？ ( )

A:10.3mA48mA21.91μA
B:48mA21.91μA10.3mA
C:21.91μA10.3mA48mA
D:10.3mA21.91μA48mA
答案: 21.91μA10.3mA48mA

设二极管为理想的，试判断下图电路中，二极管是否导通，并求出若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第36张

值。 ( )
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第38张

A:截止，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第40张

B:截止，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第42张

C:导通，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第44张

D:导通，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第47张

答案: 导通，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

如图所示电路，已知二极管参数若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第52张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第54张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第56张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第58张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第60张

，试求通过二极管的电流若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第62张

。( )
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第64张

A:（13.16+0.15sinωt）mA
B:（6.84+0.37sinωt）mA
C:（13.16+0.37sinωt）mA
D:（6.84+0.15sinωt）mA
答案: （13.16+0.37sinωt）mA

图（a）为三输入二极管或门电路，电源电压为-10V，二极管若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第66张

，图（b）为输入波形，试画出输出波形图。( )
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第68张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第71张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第73张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第75张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第77张

在NPN型晶体三极管中，发射结正偏，集电结反偏。已知若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第82张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第84张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第86张

忽略不计。试求温室时若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第88张

时若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第90张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第92张

和若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第94张

值。（）

A:15.62mA，15.33mA，340μA
B:14.23mA，14.20mA，270mA
C:16.45mA，16.30mA，460μA
D:15.48mA，15.17mA，310μA
答案: 15.48mA，15.17mA，310μA

已知某晶体三极管在室温（27℃）下的若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第96张

，当温度升高至 60℃ 时，试求若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第98张

。（）

A:9.75×10-8A
B:9.45×10-8A
C:9.85×10-8A
D:9.66×10-8A
答案: 9.85×10-8A

已知晶体三极管静态工作点电流若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第100张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第102张

，求其参数若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第104张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第106张

。（）

A:99.21 mS，1012Ω
B:96.25 mS，1039Ω
C:95.23 mS，1040Ω
D:98.62 mS，1023Ω
答案: 96.25 mS，1039Ω

如图所示电路图中，已知若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第108张

。试求若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第110张

。（）

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第112张

A:0.32mA，16mA
B:0.34mA，17mA
C:0.36mA，18mA
D:0.38mA，20mA
答案: 0.34mA，17mA

在图(a)所示电路中，三只二极管参数相同，示于图(b)，晶体三极管参数为：导通电压若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第114张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第116张

。若ABC三端口电压分别为5V4V3 V，求端口D的电压值。（）

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第118张

A:4V
B:3.5V
C:2.5V
D:3V
答案: 4V

试判断下图（a）（b）所示管子工作在什么区。（）
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第120张

A:非饱和区非饱和区
B:饱和区饱和区
C:饱和区非饱和区
D:非饱和区饱和区
答案: 饱和区非饱和区

如图所示曲线为某场效应管的输出特性曲线，它是哪一种类型的场效应管？（）
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第122张

A:P沟道耗尽型
B:N沟道耗尽型
C:N沟道增强型
D:P沟道增强型
答案: P沟道耗尽型

已知若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第124张

, 求ID。（）
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第126张

图3-3
A:2.0mA
B:1.5mA
C:1.0mA
D:0.5mA
答案: 1.0mA

一个N沟道EMOSFET组成的电路如图3-4所示，要求场效应管工作于饱和区，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第128张

, 已知管子参数为若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第130张

，设若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第132张

，设计合理的电阻RS和RD的值。（）
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第134张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第136张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第138张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第141张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第143张

在下图所示电路中，假设两管μnCox相同，若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第148张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第150张

，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比（W/l）是T2管的5倍，且T2管工作于饱和区。试问流过电阻R的电流IR值。（）
若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第3张

若在每105个硅原子中掺杂一个施主原子，试计算在时自由电子和空穴热平衡浓度值。其中，硅原子密度为4.96×1022cm-3。( ) A: B: C: D: 答案:A: ， B: ， C: ， D: ，答案: ，在下图所示电路中第152张

A:7mA
B:1mA
C:5mA
D:3mA
答案: 5mA

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