以下关于电力二极管动态特性说法正确的是( )。 A:关断时,反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程 B:关断时,反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压 C:关断时,阳极电流的衰减不是瞬时的 D:开通时,阳极电流的增长不是瞬时的 答案

以下关于电力二极管动态特性说法正确的是( )。 A:关断时,反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程 B:关断时,反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压 C:关断时,阳极电流的衰减不是瞬时的 D:开通时,阳极电流的增长不是瞬时的 答案

以下关于晶闸管引脚与内部结构说法错误的是( )。 A:门极在PNPN四层结构中的N1区引出 B:阳极在PNPN四层结构中的P1区引出 C:阴极在PNPN四层结构中的N2区引出 D:PNPN四层结构共形成了3个PN结 答案: 门极在PNPN四

以下关于晶闸管引脚与内部结构说法错误的是( )。 A:门极在PNPN四层结构中的N1区引出 B:阳极在PNPN四层结构中的P1区引出 C:阴极在PNPN四层结构中的N2区引出 D:PNPN四层结构共形成了3个PN结 答案: 门极在PNPN四

电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为( )。 A:势垒区 B:电场区 C:耗尽层 D:阻挡层 答案: 势垒区 ,耗尽层 ,阻挡层当电力二极管用在频率较高场合时,分析其发热原因,开关损耗往往不能忽略。( ) A:对 B:错 答案: 对

电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为( )。 A:势垒区 B:电场区 C:耗尽层 D:阻挡层 答案: 势垒区 ,耗尽层 ,阻挡层当电力二极管用在频率较高场合时,分析其发热原因,开关损耗往往不能忽略。( ) A:对 B:错 答案: 对

以下关于PN结工作原理说法正确的是( )。 A:外加正向电压时,多子的漂移运动大于少子的扩散运动 B:外加反向电压时,外加电场与PN结自建电场方向相反 C:外加反向电压时,PN结表现为高阻态 D:外加正向电压时,空间电荷区变宽 答案: 外加

以下关于PN结工作原理说法正确的是( )。 A:外加正向电压时,多子的漂移运动大于少子的扩散运动 B:外加反向电压时,外加电场与PN结自建电场方向相反 C:外加反向电压时,PN结表现为高阻态 D:外加正向电压时,空间电荷区变宽 答案: 外加

以下关于电力电子器件说法错误的是( )。 A:电力电子器件阻断时阻抗很大,接近于断路 B:电力电子器件一般都工作在开关状态 C:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制 D:电力电子器件导通时阻抗很小,接近于短路 答案: 电力电子器件不需要信

以下关于电力电子器件说法错误的是( )。 A:电力电子器件阻断时阻抗很大,接近于断路 B:电力电子器件一般都工作在开关状态 C:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制 D:电力电子器件导通时阻抗很小,接近于短路 答案: 电力电子器件不需要信

以下不属于电力电子器件发展方向的是( )。 A:更大的通电流能力 B:更高的开关频率 C:耐受更高的电压值 D:不受控的自主通断能力 答案: 不受控的自主通断能力以下事件是标志着电力电子技术诞生的是( )。 A:1957年美国通用电气公司研

以下不属于电力电子器件发展方向的是( )。 A:更大的通电流能力 B:更高的开关频率 C:耐受更高的电压值 D:不受控的自主通断能力 答案: 不受控的自主通断能力以下事件是标志着电力电子技术诞生的是( )。 A:1957年美国通用电气公司研

电力电子技术分为电力电子器件控制和电力变换两个分支。( ) A:对 B:错 答案: 错为了使电力变换电路基本特性简明清晰,通常忽略一些次要因素,采用一些近似方法进行分析和计算。( ) A:错 B:对 答案: 对

电力电子技术分为电力电子器件控制和电力变换两个分支。( ) A:对 B:错 答案: 错为了使电力变换电路基本特性简明清晰,通常忽略一些次要因素,采用一些近似方法进行分析和计算。( ) A:错 B:对 答案: 对

以下不属于直流用电设备的是( )。 A:电镀 B:电解电源 C:同步发电机励磁 D:变压器 答案: 变压器以下不属于整流电路按组成器件进行分类的是( )。 A:全控 B:半控 C:斩控 D:不可控 答案: 斩控

以下不属于直流用电设备的是( )。 A:电镀 B:电解电源 C:同步发电机励磁 D:变压器 答案: 变压器以下不属于整流电路按组成器件进行分类的是( )。 A:全控 B:半控 C:斩控 D:不可控 答案: 斩控

以下关于IGBT说法正确的是( )。 A:相比于电力MOSFET,IGBT的耐高压能力更优 B:IGBT的输入阻抗高,输入特性与电力MOSFET类似 C:相比于电力MOSFET,IGBT的关断时间更短 D:IGBT可看作是门极可关断器件和电

以下关于IGBT说法正确的是( )。 A:相比于电力MOSFET,IGBT的耐高压能力更优 B:IGBT的输入阻抗高,输入特性与电力MOSFET类似 C:相比于电力MOSFET,IGBT的关断时间更短 D:IGBT可看作是门极可关断器件和电

以下关于IGBT说法错误的是( )。 A:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构 B:IGBT工作在开关状态,是在正向阻断区和饱和区之间来回转换 C:IGBT开关速度高于电力MOSFET D:IGBT与电力MOSFET

以下关于IGBT说法错误的是( )。 A:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构 B:IGBT工作在开关状态,是在正向阻断区和饱和区之间来回转换 C:IGBT开关速度高于电力MOSFET D:IGBT与电力MOSFET

电网换流不需要器件具有门极可关断能力,也不需要为换流附加元件。( ) A:对 B:错 答案: 对 满足负载电压的相位超前于负载电流的场合,都可以实现负载换流。( ) A:对 B:错 答案: 错

电网换流不需要器件具有门极可关断能力,也不需要为换流附加元件。( ) A:对 B:错 答案: 对 满足负载电压的相位超前于负载电流的场合,都可以实现负载换流。( ) A:对 B:错 答案: 错

采用晶闸管的单相桥式电流型并联谐振式逆变电路中,晶闸管的换流方式为( )。 A:负载换流 B:电网换流 C:器件换流 D:强迫换流 答案: 负载换流 无源逆变电路中,以下半导体器件采用器件换流的有( )。 A:GTO B:IGBT C:SC

采用晶闸管的单相桥式电流型并联谐振式逆变电路中,晶闸管的换流方式为( )。 A:负载换流 B:电网换流 C:器件换流 D:强迫换流 答案: 负载换流 无源逆变电路中,以下半导体器件采用器件换流的有( )。 A:GTO B:IGBT C:SC

电容滤波的单相不可控整流电路中,U2=150V,二极管承受的反向电压最大值约为( )。 A:135.0V B:212.1V C:180.0V D:106.1V 答案: 212.1V 以下关于电容滤波的单相不可控整流电路说法正确的是( )。

电容滤波的单相不可控整流电路中,U2=150V,二极管承受的反向电压最大值约为( )。 A:135.0V B:212.1V C:180.0V D:106.1V 答案: 212.1V 以下关于电容滤波的单相不可控整流电路说法正确的是( )。

单相桥式全控整流电路阻感负载电感很大,当触发角α=45°,则导通角θ为( )。 A:90° B:180° C:135° D:225° 答案: 180° 单相桥式全控整流电路反电动势阻感负载,电感很大,U2=200V,R=2Ω,E=60V,α

单相桥式全控整流电路阻感负载电感很大,当触发角α=45°,则导通角θ为( )。 A:90° B:180° C:135° D:225° 答案: 180° 单相桥式全控整流电路反电动势阻感负载,电感很大,U2=200V,R=2Ω,E=60V,α

用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,使它更接近正弦波。( ) A:错 B:对 答案: 对 电压型逆变电路和电流型逆变电路都可以实现多重化。( ) A:对 B:错 答案: 对

用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,使它更接近正弦波。( ) A:错 B:对 答案: 对 电压型逆变电路和电流型逆变电路都可以实现多重化。( ) A:对 B:错 答案: 对

以下关于电流型三相桥式逆变电路的说法中,正确的是( )。 A:输出交流电流波形和负载性质无关 B:电路的基本工作方式是120°导电方式 C:VT1到VT6顺序间隔60°依次导通 D:换流方式是横向换流 答案: 输出交流电流波形和负载性质无关

以下关于电流型三相桥式逆变电路的说法中,正确的是( )。 A:输出交流电流波形和负载性质无关 B:电路的基本工作方式是120°导电方式 C:VT1到VT6顺序间隔60°依次导通 D:换流方式是横向换流 答案: 输出交流电流波形和负载性质无关

三相电压型桥式逆变电路,每次换流都是在同一相上下两个桥臂之间进行,因此也称为纵向换流。( ) A:对 B:错 答案: 对 电流型逆变电路的特点有( )。 A:直流侧电流基波无脉动 B:逆变桥各臂都反并联了二极管 C:直流侧串大电感 D:交流

三相电压型桥式逆变电路,每次换流都是在同一相上下两个桥臂之间进行,因此也称为纵向换流。( ) A:对 B:错 答案: 对 电流型逆变电路的特点有( )。 A:直流侧电流基波无脉动 B:逆变桥各臂都反并联了二极管 C:直流侧串大电感 D:交流