n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10- n型半导体导带的有效状态密度 Nc=1.0×1019/cm3, 施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10 eV，施主原子的局域能级为1.00 eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10- 2022-01-20 17
以四价原子二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（ ） A: B: C: D: 答案:离子位移极化和电子位移极化的表达式一样，都具有弹性偶极子的极化性质，由于离子质量远高于电子质量,因此极化建立的时间也较电子慢。（ ） A:对 B:错 以四价原子二维正方空晶格为例计算自由电子的费密波矢为（ ） A: B: C: D: 答案:离子位移极化和电子位移极化的表达式一样，都具有弹性偶极子的极化性质，由于离子质量远高于电子质量,因此极化建立的时间也较电子慢。（ ） A:对 B:错 2022-01-18 7
Na的密度1.013g/cm3，原子量为22.99，计算Na在0K时自由电子的平均能量（ ） A:3.25eV B:1.95eV C:6.5eV D:3.9eV 答案: 1.95eV结合电子位移极化率的公式判断，离子体积越大其电子位移极化率 Na的密度1.013g/cm3，原子量为22.99，计算Na在0K时自由电子的平均能量（ ） A:3.25eV B:1.95eV C:6.5eV D:3.9eV 答案: 1.95eV结合电子位移极化率的公式判断，离子体积越大其电子位移极化率 2022-01-17 7
比较碱金属元素LiNaKRbCs的费密能大小（ ） A:无法比较 B:Li=Na=K=Rb=Cs C:Li＞Na＞K＞Rb＞Cs D:Li＜Na＜K＜Rb＜Cs 答案: Li＞Na＞K＞Rb＞Cs CsBr晶体具有类似于CsCl晶体的晶体结 比较碱金属元素LiNaKRbCs的费密能大小（ ） A:无法比较 B:Li=Na=K=Rb=Cs C:Li＞Na＞K＞Rb＞Cs D:Li＜Na＜K＜Rb＜Cs 答案: Li＞Na＞K＞Rb＞Cs CsBr晶体具有类似于CsCl晶体的晶体结 2022-01-15 11
霍尔系数只与金属中的（ ）有关。 A:自由电子密度 B:费密分布函数 C:费密能级 D:费密温度 答案: 自由电子密度已知CO2 在T＝300K时， ， ，n = 1.000185，求其固有的偶极矩 。（ ） A: B: C: D: 答案: 霍尔系数只与金属中的（ ）有关。 A:自由电子密度 B:费密分布函数 C:费密能级 D:费密温度 答案: 自由电子密度已知CO2 在T＝300K时， ， ，n = 1.000185，求其固有的偶极矩 。（ ） A: B: C: D: 答案: 2022-01-15 8
三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（ ） A: B: C: D:圆球 答案:在居里温度(120℃)以上，钛酸钡属于等轴晶系，晶格常数 ，已知O2-离子半径为 .求两个O离子间的空隙。（ ） A: B: 三维晶体的布里渊区的界面构成一多面体，下图中为体心立方晶格第一布里渊区的为（ ） A: B: C: D:圆球 答案:在居里温度(120℃)以上，钛酸钡属于等轴晶系，晶格常数 ，已知O2-离子半径为 .求两个O离子间的空隙。（ ） A: B: 2022-01-15 8
如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（ ） A:-1.099kT，1.099kT B:1.099kT，1.099kT C:-1.099kT，-1.099kT D:1.09 如电子占据某一能级的几率为1/4，另一能级被占据的几率为3/4，分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT（ ） A:-1.099kT，1.099kT B:1.099kT，1.099kT C:-1.099kT，-1.099kT D:1.09 2022-01-14 12
如果对某试样测得的霍尔系数RH为正值，则其电导载流子为电子。（ ） A:错 B:对 答案: 错因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（ ） A:错 B:对 答案: 对 如果对某试样测得的霍尔系数RH为正值，则其电导载流子为电子。（ ） A:错 B:对 答案: 错因为金属中自由电子浓度很大，远远超过半导体的载流子密度，故半导体的霍尔系数大于金属。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-12-26 3
TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位， TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位， 2021-12-25 6
在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A:1.33×10-31 B:2.21×10-24 C:1.72×10-4 D:1.41×10-5 答案: 1.72 在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？ （ ） A:1.33×10-31 B:2.21×10-24 C:1.72×10-4 D:1.41×10-5 答案: 1.72 2021-12-24 7
方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（ ） A:0.0082 B: 方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（ ） A:0.0082 B: 2021-12-23 8
一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子 tgδ为0.02。 求相对介电常数（ ） A:3.39 B:3.28 C:4.51 D:3.00 答案: 3.39 一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子 tgδ为0.02。 求相对介电常数（ ） A:3.39 B:3.28 C:4.51 D:3.00 答案: 3.39 2021-11-28 5
在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（ ） A:错 B:对 答案: 对 下述缺陷反应方程正确： 。（ ） A:错 B:对 答案: 对 在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（ ） A:错 B:对 答案: 对 下述缺陷反应方程正确： 。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-11-19 9
导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（ ） A:错 B:对 答案: 对 俘获了空穴的阳离子空位为F心。（ ） A:错 B:对 答案: 错 导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（ ） A:错 B:对 答案: 对 俘获了空穴的阳离子空位为F心。（ ） A:错 B:对 答案: 错 2021-11-18 9
同一种晶体中电子的迁移率μe大于空穴的迁移率μh。（ ） A:错 B:对 答案: 错 金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（ ） 同一种晶体中电子的迁移率μe大于空穴的迁移率μh。（ ） A:错 B:对 答案: 错 金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（ ） 2021-11-18 10
砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（ ） A:对 B:错 答案: 对 EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（ ） A:错 B:对 答案: 对 砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（ ） A:对 B:错 答案: 对 EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-11-17 9
在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（ ） A:错 B:对 答案: 错 处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（ ） A:错 B:对 答案: 对 在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（ ） A:错 B:对 答案: 错 处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（ ） A:错 B:对 答案: 对 2021-11-16 8
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（ ） A:错 B:对 答案: 对 II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（ ） A:错 B:对 答 一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（ ） A:错 B:对 答案: 对 II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（ ） A:错 B:对 答 2021-11-15 10
写出钛酸钡BaTiO3中掺入氧化镧（La2O3）的缺陷化学方程式为 ，并判断其电导属性为n型半导体。（ ） A:错 B:对 答案: 对比较下列几种玻璃的电导率的大小关系：纯石英玻璃5.0%氧化钠玻璃6.0%氧化钠玻璃3.0%氧化钠和3.0% 写出钛酸钡BaTiO3中掺入氧化镧（La2O3）的缺陷化学方程式为 ，并判断其电导属性为n型半导体。（ ） A:错 B:对 答案: 对比较下列几种玻璃的电导率的大小关系：纯石英玻璃5.0%氧化钠玻璃6.0%氧化钠玻璃3.0%氧化钠和3.0% 2021-11-11 9
离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主，高温下以杂质电导为主。（ ） A:对 B:错 答案: 错下列离子晶体：氟化钠氯化钠溴化钠碘化钠中离子电导率的大小为 。 （ ） A:对 B:错 答案: 错 离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主，高温下以杂质电导为主。（ ） A:对 B:错 答案: 错下列离子晶体：氟化钠氯化钠溴化钠碘化钠中离子电导率的大小为 。 （ ） A:对 B:错 答案: 错 2021-11-11 10
