20世纪80年代后期，得到长足发展的器件是IGBT综合了BJT和MOSFET的优点A:GTO  B:BJT  C:MOSFET    D:IGBT 答案: IGBTA:对 B:错 答案: 对

逆变电路是一种（    ）变换电路

A:AC/AC
B:DC/AC  
C:DC/DC        
D:AC/DC 
答案: DC/AC  

研制出第一个晶闸管的公司是

A:通用电气
B:仙童公司
C:德州仪器  
D:三菱公司
答案: 通用电气

据估计，发达国家在用户最终使用的电能中，有（  ）以上的电能至少经过一次以上电力电子变流装置的处理。

A:50% 
B:60%  
C:70% 
D:80%
答案: 60%  

20世纪80年代后期，得到长足发展的器件是

A:GTO 
B:BJT 
C:MOSFET   
D:IGBT
答案: IGBT

下列学科中与电力电子学没有交叉关系的是

A:电力学
B:电子学  
C:控制理论
D:机械工程
答案: 机械工程

IGBT是一个复合型的器件，它是

A:GTR驱动的MOSFET
B:MOSFET驱动的GTR 
C:MOSFET驱动的晶闸管
D:MOSFET驱动的GTO
答案: MOSFET驱动的GTR 

对于同一晶闸管，维持电流I_H与擎住电流I_L在数值大小上有，I_L（  ）I_H。

A:大于 
B:等于   
C:小于 
D:无关
答案: 大于 

晶闸管的伏安特性是指(    )

A:阳极电压与门极电流的关系
B:门极电压与门极电流的关系
C:阳极电压与阳极电流的关系        
D:门极电压与阳极电流的关系
答案: 阳极电压与阳极电流的关系        

IGBT综合了BJT和MOSFET的优点

A:对
B:错
答案: 对

SCR是一种流控器件

A:对
B:错
答案: 对