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晶闸管稳定导通的条件（ ）
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电力电子技术中，电力变换电路包含（ ）变换。
A AC/DC
B DC/DC
C DC/AC
D AC/AC
答案 AC/DC,DC/DC,DC/AC,AC/AC
（ ）年，电子管出现，从而开创了电子技术之先河。
A 1904
B 1914
C 1905
D 1915
答案 1904
1957年，美国通用电气公司研制出第一个( )，因电气性能和控制性能优越，其应用范围迅速扩大。
A 晶闸管
B GTO
C GTR
D IGBT
答案 晶闸管
一般认为，电力电子学的诞生是以( )的发明为标志。
A IGBT
B 晶闸管
C GTR
D GTO
答案 晶闸管
电力电子技术的发展趋势( )
A 向容量更大和更小的两个方向发展
B 向集成化方向发展
C 向智能化方向发展
答案 向容量更大和更小的两个方向发展,向集成化方向发展,向智能化方向发展
电力电子器件按照驱动信号分类，可分为（ ）
A 电流驱动型
B 电压驱动型
C 混合型
答案 电流驱动型,电压驱动型
电力电子器件按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为( )。
A 单极型器件
B 双极型器件
C 复合型器件
答案 单极型器件,双极型器件,复合型器件
电力电子器件按照其控制器通断的能力分为（ ）器件。
A 半控型
B 全控型
C 不控型
答案 半控型,全控型,不控型
电力电子器件组成的系统，一般由（ ）组成。
A 控制电路
B 驱动电路
C 电力电子器件
D 保护电路
答案 控制电路,驱动电路,电力电子器件,保护电路
晶闸管稳定导通的条件（ ）
A 晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
B 晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流
C 晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流
D 晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流
答案 晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ）
A 减小至维持电流以下
B 减小至擎住电流以下
C 减小至门极触发电流以下
D 减小至5A以下
答案 减小至维持电流以下
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）
A du/dt抑制电路
B 抗饱和电路
C di/dt抑制电路
D 吸收电路
答案 抗饱和电路
IGBT是一个复合型的器件，它是（ ）
A GTR驱动的MOSFET
B MOSFET驱动的GTR
C MOSFET驱动的晶闸管
D MOSFET驱动的GTO
答案 MOSFET驱动的GTR
晶闸管触发电路中，若改变（ ）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A 同步电压
B 控制电压
C 脉冲变压器变比
D 以上都不能
答案 控制电压
功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（ ）
A 基极最大允许直流功率线
B 基极最大允许电压线
C 临界饱和线
D 二次击穿功率线
答案 二次击穿功率线
晶闸管的伏安特性是指( )
A 阳极电压与门极电流的关系
B 门极电压与门极电流的关系
C 阳极电压与阳极电流的关系
D 门极电压与阳极电流的关系
答案 阳极电压与阳极电流的关系
具有自关断能力的电力半导体器件称为( )
A 全控型器件
B 半控型器件
C 不控型器件
D 触发型器件
答案 全控型器件
取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( )
A 转折电压
B 反向击穿电压
C 阈值电压
D 额定电压
答案 额定电压
当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )
A 导通状态
B 关断状态
C 饱和状态
D 不定
答案 关断状态
在型号KP10－12G中，数字10表示( )
A 额定电压10V
B 额定电流10A
C 额定电压1000V
D 额定电流100A
答案 额定电流10A
若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为 （ ）
A 157A
B 100A
C 80A
D 246.5A
答案 100A
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