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A:错 B:对 答案: 对C:差分放大电路可以克服零点漂移现象。（ ）
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模拟信号在时间和数值上均具有连续性。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
设计电路和选择元器件时，可以只追求某单一方面性能特别优秀。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
模拟电路设计具有工程性实践性的特点。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
实现电子电路，不需要在EDA环境下对分析或设计的电路进行仿真，直接搭建实际电路，进行调试即可。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
掌握一种电子电路辅助分析和设计软件对学习模拟电路设计很有必要。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
因为P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ ）
A:错
B:对
答案: 错
二极管在工作频率大于最高工作频率fM时会损坏。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。
A:左移，下移
B:左移，上移
C:右移，下移
D:右移，上移
答案: 左移，下移
设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（ ） 。
A:
B:
C:
D:
答案:
稳压管的稳压区是其工作在（ ） 。
A:反向击穿
B:正向导通
C:正向击穿
D:反向截止
答案: 反向击穿
下列符号中表示发光二极管的为（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:
设二极管导通电压UD=0.7V，图示电路的输出电压值为（ ）
A:0V
B:2.7V
C:1.3V
D:2V
答案: 1.3V
只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ ）。
A:对
B:错
答案: 错
电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
3.因为放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
可以说任何放大电路都有功率放大作用。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
该电路是能够放大正弦交流信号? （ ）
A:对
B:错
答案: 错
下图电路是不能够放大正弦交流信号? ( )
A:错
B:对
答案: 对
二极管两端电压大于( )电压时, 二极管才导通。
A:饱和
B:安全
C:击穿
D:开启
答案: 开启
当场效应管的漏源之间存在导电沟道时，漏极处夹断后，管子进入恒流区。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
N沟道结型场效应管的栅源之间只有外加负向电压才有可能工作在恒流区。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
场效应管是由电压即电场来控制电流的器件。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
场效应管的低频跨导
是一个常数。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
图示电路可以不失真地放大正弦波信号。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
对于结型场效应管，饱和漏极电流
是漏极最大可能的电流值。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
以下哪种场效应管在栅源电压为0时可以工作在恒流区？ （ ）
A: N沟道耗尽型MOS管
B:N沟道增强型MOS管
C:P沟道耗尽型MOS管
D:P沟道增强型MOS管
E:结型场效应管
答案: N沟道耗尽型MOS管,P沟道耗尽型MOS管
场效应管的静态工作点由以下哪些电量组成？ ( )
A:
B:
C:
D:
E:
答案:
,
,
图示电路的Q点参数
分别是( )。
A:0V2mA2V
B:-1V3mA-3V
C:-4V0mA12V
D: -1V2mA2V
答案: -1V2mA2V
图示电路的低频跨导
电压放大倍数
的值分别是( )。
A:1.5mS-6.5
B:1mS-5
C:0.87mS-4.35
D:1.22mS-6.1
答案: 1.22mS-6.1
直接耦合多级放大电路只能放大直流信号。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
阻容耦合和变压器耦合多级放大电路只能放大交流信号。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
直接耦合多级放大电路低频特性好，但存在零点漂移现象。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
差分放大电路可以克服零点漂移现象。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
若集成运放的电源电压为
,差模放大倍数为
，则当差模输入电压为
时，输出电压为
。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
多级放大电路常见的耦合方式有以下（ ）几种。
A:阻容耦合
B:光电耦合
C:电感耦合
D:变压器耦合
E:直接耦合
答案: 阻容耦合,光电耦合,变压器耦合,直接耦合
集成运放电路主要由以下（ ）几个部分组成。
A:偏置电路
B:电源电路
C:输出级
D:输入级
E:中间级
F:滤波电路
答案: 偏置电路,输出级,输入级,中间级
差分放大电路的如图所示，下面的描述哪些是正确的？( )
A:
等效共模模输入电压是
B:图中电路是单端输入单端输出接法
C:图中电路是双端输入单端输出接法
D:
等效共模输入电压是
E:
等效差模输入电压是
F:
等效差模输入电压是
答案: 图中电路是双端输入单端输出接法,
等效共模输入电压是
,
等效差模输入电压是
两级放大电路如图所示,
和
两个单级的基本组态各是（ ）
A:共射+共射
B:共集+共集
C:共集+共射
D:共射+共集
答案: 共集+共射
共模抑制比
反映了差分放大电路对差模信号的放大能力和对共模信号的抑制能力。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
放大电路中耦合电容和旁路电容的存在，在高频段使得电路的放大倍数下降。（ ）
A:错
B:对
答案: 错
放大电路中三极管的极间电容和分布电容的存在，在低频段使得电路的放大倍数下降。（ ）
A:对
B:错
答案: 错
图示二端口电路为高通电路。（ ）
A:错
B:对
答案: 对
图示二端口电路为低通电路。（ ）
A:对
B:错
答案: 对
在高低频段导致放大电路放大倍数下降的原因是（ ）
A:半导体管的非线性特性
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:耦合电容和旁路电容的存在
D:放大电路的静态工作点不合适
答案: 半导体管极间电容和分布电容的存在,耦合电容和旁路电容的存在
阻容耦合多级放大电路的频率特性具有以下几个特点（ ）（k=1~N）
A:
B:
C:
D:
E:
答案:
,
,
当输入信号的频率等于放大电路的
或
时，放大电路的
值约下降到中频时的( )倍。
A:0.3
B:0.7
C:0.9V
D:0.5
答案: 0.7
当输入信号的频率等于放大电路的
或
时，放大电路的增益
相对于中频段约下降（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:
某放大电路全频段电压放大倍数的表达式是
，该电路的下限和上限截止频率
和
分别是( )。
A:
B:
C:
D:
答案:
某放大电路的波特图如图所示，该电路中频段电压放大倍数和在时的附加相移分别是( )。
A:
B:
C:
D:
答案:
霓谓双杉幢陌疚犊谷视陈失囱
屁锚囱廉十沁挎角送缄邦净携