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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第1张

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第4张

A:3,+3
B:3,+2
C:6,+2
D:6,+3
答案: 6,+3

配合物的磁矩主要取决于形成体的(   )。

A:

成对电子数

B:

成单电子数

C:

原子序数

D:

电荷数

答案:

成单电子数

价键理论可以解释配合物的(    )。

A:

颜色和氧化还原性

B:

空间构型和颜色

C:

磁性和空间构型

D:

磁性和颜色

答案:

磁性和空间构型

已知下列配合物磁矩的测定值,按价键理论判断属于外轨型配合物的是(    )。

A:

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B:

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C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

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D:

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答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第18张

A:

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B:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第23张

C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

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D:

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答案:

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A:

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B:

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C:

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D:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第41张

答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

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A:

氯·硝基·四氨钴离子

B:

氯·硝基·四氨钴(Ⅲ)离子

C:

氯化硝基·四氨合钴(Ⅲ)离子

D:

一氯·一硝基·四氨合钴(Ⅲ)离子

答案:

一氯·一硝基·四氨合钴(Ⅲ)离子

下列关于晶体场理论的叙述中,错误的是(    )。

A:

晶体场理论不能解释配合物的磁性和空间构型

B:

晶体场稳定化能(CFSE)为零的配离子也能稳定存在

C:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第49张

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第52张

D:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物

答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第60张

A:

无法判断

B:

二者相等

C:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第63张

D:

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答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第70张

A:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第72张

B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第74张

C:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第77张

D:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第79张

答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第77张

由于s区p区元素性质活泼,它们都不能以单质的形式存在于自然界。

A:对
B:错
答案: 错

 金属钙保存在煤油中。

A:对
B:错
答案: 对

碱金属熔点的高低次序为Li > Na > K > Rb > Cs。

A:对
B:错
答案: 对

所有碱金属的碳酸盐都是易溶于水的。

A:错
B:对
答案: 错

碱金属的氢氧化物皆具有强碱性。

A:对
B:错
答案: 错

锂在空气中燃烧时,生成物之一是:

A:

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B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

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C:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第89张

D:

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答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第96张

A:

既不是氧化剂又不是还原剂,有关反应是一个酸碱反应

B:

仅是还原剂

C:

既是氧化剂又是还原剂

D:

仅是氧化剂

答案:

既是氧化剂又是还原剂

下列各物质热稳定性次序正确的是:

A:

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B:

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C:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第102张

D:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第105张

答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第105张

下列氢氧化物中,具有两性的是:

A:

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B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

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C:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第115张

D:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第117张

答案:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第115张

在人造卫星和宇宙飞船上,常用超氧化钾和臭氧化钾作空气再生剂,而不用过氧化钠,其原因是:

A:

生产超氧化钾和臭氧化钾的成本较低

B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第123张

C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第125张

D:

过氧化钠稳定性差,难以保存

答案:

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第123张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第130张

A:错
B:对
答案: 错

硼的氢化物称为硼烷,最简单的硼烷是:

A:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第133张

B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第135张

C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第137张

D:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第139张

答案:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第133张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第144张

A:

氢键

B:

配位键

C:

氢桥

D:

共价键

答案:

氢桥

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分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第146张

A:

高熔点化合物

B:

缺电子化合物

C:

离子型化合物

D:

路易斯碱

答案:

缺电子化合物

下列物质中,熔点最高的是:

A:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第148张

B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第150张

C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第152张

D:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第155张

答案:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第155张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第160张

A:错
B:对
答案: 错

硅在地壳中的含量仅次于氧。

A:对
B:错
答案: 对

从艾林罕姆图中可以得到碳还原金属氧化物的产物和温度等大量信息,在冶金工业上很有参考价值。

A:对
B:错
答案: 对

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第162张

A:对
B:错
答案: 对

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第164张

A:对
B:错
答案: 错

石墨可以作润滑剂,是由于在石墨晶体中层与层之间存在:

A:

离子键

B:

非定域大 π 键

C:

分子间力

D:

共价键

答案:

分子间力

制备金属单质时,常用的还原剂是:

A:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第166张

B:CO和C
C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第168张

D:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第170张

答案: CO和C

下列碳酸盐中,热稳定性最强的是:

A:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第172张

B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第174张

C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第176张

D:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第179张

答案:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第179张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第184张

A:

加入金属锡和盐酸

B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第186张

C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第188张

D:

加入金属锡和硫酸

答案:

加入金属锡和盐酸

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第190张

A:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第192张

B:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第194张

C:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第196张

D:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第199张

答案:

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

分裂能小于成对能时,易形成高自旋配合物 答案:第3张

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