《电子技术-电信-于春和(沈阳航空航天大学)》mooc慕课答案完整2026年版

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起止时间:2020-03-01到2020-07-24
更新状态:已完结

1 半导体器件 第一单元测验

1、 在杂质半导体中多子的数量主要与 有关。

A:杂质类型
B:掺杂浓度
C:温度
D:光照
答案: 掺杂浓度

2、 在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是 、N型半导体中的电流主要是 ,

A:电子电流、空穴电流
B:空穴电流、电子电流
C:离子电流、空穴电流
D:离子电流、电子电流
答案: 空穴电流、电子电流

3、 稳压管工作在稳压状态下,是工作在 区。

A:正向导通
B:正向但不导通
C:反向击穿
D:反向截止
答案: 反向击穿

4、 测得工作在放大电路中几个晶体管三个极电位值V1=3.5V, V2=2.9V, V3=12V,关于管子的类型、材料及三个极的判断,正确的是 。

A:NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C
B:NPN型锗管,1、2、3依次为B、E、C
C:PNP型硅管,1、2、3依次为C、B、E
D:PNP型锗管,1、2、3依次为C、B、E
答案: NPN型硅管,1、2、3依次为B、E、C

5、 PNP型三极管工作在线性区的外部条件是 。

A:VE<VB <VC
B:VC<VB<VE
C:VE<VC<VB
D:VB<VC<VE
答案: VC<VB<VE

6、 对于二极管,以下说法不正确的是 。

A:二极管加正向电压时,二极管就导通
B:二极管的反向饱和电流的大小受温度影响大
C:二极管的正向导通压降,硅管比锗管高
D:同样外部条件下,硅管的反向饱和电流比锗管小
答案: 二极管加正向电压时,二极管就导通

7、 对于PN结,以下说法正确的是 。

A:P型半导体带正电
B:N型半导体带负电
C:本征半导体对外不显电性
D:杂质半导体对外显电性
答案: 本征半导体对外不显电性

8、 在杂质半导体中少子的数量主要与 有关。

A:杂质类型
B:掺杂浓度
C:温度
D:光照
答案: 温度

9、 NPN型三极管工作在线性区的外部条件是 。

A: VE<VC<VB
B:VC<VB<VE
C:VB<VC<VE
D:VE<VB<VC
答案: VE<VB<VC

10、 测得某三极管三个电极上的电流大小和方向如图所示,以下说法正确的是 。

A:管子为NPN型
B:管子为PNP型
C:左边的管脚为基极
D:中间的管脚为集电极
E:右边的管脚为发射极
F:管子的β值约为40
答案: 管子为PNP型;
右边的管脚为发射极;
管子的β值约为40

11、 已知某三极管β=50,今测得三个电极上的电流大小和方向如下图所示,则以下说法正确的是 。

A:管子工作正常的放大状态
B:管子工作在非正常状态

       

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