太阳能电池测试及标准(景德镇陶瓷大学) 慕课答案2026完整版100分

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起止时间:2020-02-17到2020-06-30
更新状态:已完结

第一章 概论 第一章 概论 单元测试

1、 以下属于不可再生能源的是（ ）

A:风能
B:潮汐能
C:石油
D:生物质能
答案: 石油

2、 2003年，（ ）公司的第一套3MW多晶硅电池及应用系统示范项目填补了我国商业化生产多晶硅太阳能电池的空白。

A:天威英利
B:江西赛维
C:福建钧石
D:中利腾晖
答案: 天威英利

3、 2016年12月，国家发布了《太阳能发展“十三五”规划》。指出，到2020年底，太阳能发电装机达到（ ）亿千瓦以上。

A:0.9
B:1.0
C:1.1
D:1.2
答案: 1.1

4、 我国发射的“天宫二号”上的太阳能电池为（ ）

A:砷化镓太阳能电池
B:硅太阳能电池
C:碲化镉太阳能电池
D:铜铟镓硒太阳能电池
答案: 砷化镓太阳能电池

5、 染料敏化薄膜太阳能电池是模仿（ ）原理而研制出的一种新型的光电化学电池。

A:光生伏特效应
B:光合作用
C:氧化还原作用
D:光致衰减效应
答案:

6、 光学薄膜的厚度从几纳米到几十微米不等。

A:正确
B:错误
答案: 正确

7、 薄膜太阳能电池的衬底必须是透明的。

A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：薄膜太阳能电池的衬底可以是透明或者不透明，也可以是平面不可弯曲或者柔性可弯曲。

8、 2004年，中国科学院长春应用化学研究所王鹏领导的研究小组新开发出中国品牌染料 。
答案: C101

9、 2011年9月，龙焱能源科技（杭州）有限公司建成了中国第一条具有完全自主知识产权的25MW全自动CdTe薄膜太阳能电池组件生产线，使我国成为继美、德之后世界上第 个能生产CdTe薄膜太阳能电池的国家。
答案: 三

10、 2011年9月，龙焱能源科技（杭州）有限公司建成了中国第一条具有完全自主知识产权的25MW全自动 薄膜太阳能电池组件生产线，使我国成为继美、德之后世界上第三个能生产CdTe薄膜太阳能电池的国家。
答案: 碲化镉（CdTe）

11、 2008年，南开大学与福建钧石能源公司合作，建成了国内首条 叠层薄膜太阳电池中试线。
答案: 微晶硅/非晶硅

12、 2013年7月，国务院发布《关于促进光伏产业健康发展的若干意见》，被称为 。
答案: 光伏国八条

第二章 太阳能电池基础 第二章 单元测试

1、 实际中几乎所有太阳能电池的量子效率都会因为复合效应而（ ）。

A:变大
B:减小
C:不变
D:不确定
答案: 减小

2、 N型半导体中（ ）浓度相当高。

A:电子
B:空穴
C:光生载流子
D:电子-空穴对
答案: 电子

3、 PN结中的多子扩散会使空间电荷区变（ ）。

A:窄
B:宽
C:不变
D:无法判断
答案: 宽

4、 PN结达到动态平衡时，其扩散电流和漂移电流（ ）。

A:大小相等，方向相同
B:大小相等，方向相反
C:大小不等，方向相反
D:大小不等，方向相同
答案: 大小相等，方向相反

5、 衡量太阳能电池质量最根本和最直接的参数是（ ）。

A:开路电压
B:短路电流
C:最大功率
D:转换效率
答案: 转换效率

6、 将太阳能电池的最大功率比上其短路电流和开路电压的乘积，就得到了该电池的（ ）。

A:转换效率
B:填充因子
C:最佳功率
D:转换效率
答案: 填充因子

7、 如果太阳能电池外接负载的电阻大小（ ）电池本身的输出电阻，那么电池输出的功率达到最大，即工作在最大输出功率点。

A:大于
B:小于
C:等于
D:以上都正确
答案: 等于

8、 太阳能电池的性能会明显受到工作环境温度变化的影响。随着温度的升高，以下正确的是（ ）。

A:电池禁带宽度变窄
B:光生电流增大
C:禁带宽度变宽
D:光生电流变小
答案: 电池禁带宽度变窄;
光生电流增大

9、 太阳光子照射到太阳能电池上后，可能会发生以下情况（ ）。

A:被电池上表面反射回去。
B:在电池表面就被吸收，产生光生载流子。
C:在PN结附近被吸收，产生的光生载流子会被内建电场分离和收集。
D:没有被电池吸收，直接透射出去。
答案: 被电池上表面反射回去。;
在电池表面就被吸收，产生光生载流子。;
在PN结附近被吸收，产生的光生载流子会被内建电场分离和收集。;
没有被电池吸收，直接透射出去。

10、 以下属于实际太阳能电池等效电路图构成部分的是（）。

A:一个恒流源
B:一个并联的理想整流二极管
C:串联电阻
D:并联电阻
答案: 一个恒流源;
一个并联的理想整流二极管;
串联电阻;
并联电阻

11、 将三价的硼作为杂质参杂到硅半导体中， 以下叙述正确的是（ ）。

A:硼为施主杂质。
B:硼为受主杂质。
C:形成P型半导体。
D:形成N型半导体。
答案: 硼为受主杂质。;
形成P型半导体。

12、 当P型半导体和N型半导体紧密结合在一起时，交界面附近会可能会发生的现象有（ ）。

A:在P区，空穴浓度高，电子浓度低。
B:在N区，空穴浓度高，电子浓度低。
C:在N区，电子浓度高，空穴浓度低。
D:在P区，电子浓度高，空穴浓度低。
答案: 在P区，空穴浓度高，电子浓度低。;
在N区，电子浓度高，空穴浓度低。

13、 在本征半导体中掺入微量杂质，能明显改变半导体的导电性质。

A:正确
B:错误
答案: 正确

14、 PN结的P区一侧电子浓度高，空穴浓度低。