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起止时间:2020-02-24到2020-06-26
更新状态:已完结
第1章 数字逻辑系统 第1章测验
1、 余3码是 码，减3后是 码，然后加上后六种状态是 码。
A:余3，8421，5421BCD
B:8421， 有权，无权
C:循环，2421BCD，有权
D:无权，8421BCD，8421
答案: 无权，8421BCD，8421
2、 对于题图1.2所示的波形, A、B为输入，F为输出，其反映的逻辑关系是
A:与非关系
B:异或关系
C:同或关系
D:或关系
E:无法判断
答案: 异或关系;
无法判断
3、 
A: 0，0，0
B:1，1，0
C:不唯一，0，1
D:如此运算逻辑概念错误，1，1
答案: 1，1，0
4、 已知逻辑函数F=A（B+DC），选出下列可以肯定使F=1的状态是 。
A:A=0，BC=0，D=0
B:A=0，BD=0，C=0
C:AB=1，C=0，D=0
D:AC=1，B=0
答案: AB=1，C=0，D=0
5、 某一逻辑函数真值确定后，下面描述该函数功能的方法中，具有唯一性的是 。
A:逻辑函数的最简与或式
B:逻辑函数的最小项之和表达式
C:逻辑函数的最简或与式
D:逻辑函数的最大项之和表达式
答案: 逻辑函数的最小项之和表达式
6、 卡诺图中的逻辑相邻或对称相邻具有 码特征，其数值不同只是在位上差 位。
A:余3码， 2
B:8421码， 3
C:循环码， 2
D:格雷码， 1
答案: 格雷码， 1
7、 
A:同或
B:与
C:或
D:异或
答案: 同或
8、 信号A和0异或相当于 门，信号A和1异或相当于 门。（作答请以顿号“、”间隔）
A:与门、或门
B:缓冲门、非门
C:或门、非门
D:缓冲门、与门
答案: 缓冲门、非门
9、 
A:×、m、×、×、×、M
B:×、×、m、×、×、M
C:×、M、m、×、×、×
D:×、m、×、×、M、×
答案: ×、m、×、×、M、×
10、 在题图1.7所示的卡诺图中，化简后的逻辑函数是
A:
B:
C:
D:
答案: ;
11、 最小项ABCD的逻辑相邻项是 。
A:
B:
C:
D:
答案: ;
;
12、 任意项和约束项有微小的区别，区别在于任意项值随便，约束项值不允许。约束项和任意项统称为 。（作答请以顿号“、”间隔）
答案: 无关项
第2章 逻辑门电路 第2章测验
1、 ECL逻辑门电路电压摆率为
A: 0.8V
B:3.3V
C:5V
D:30V
答案: 0.8V
2、 TTL电路时间延迟的主要原因是由载流子的聚集和消散引起的，CMOS反相器产生传输延迟的主要原因是由于集成电路 。
A:反相器
B:内部电阻和容性负载
C:电阻
D:电源
答案: 内部电阻和容性负载
3、 CMOS非门是由一个NMOS和一个PMOS组成，其栅极相连作为输入，漏极相连作为输出，NMOS源极需接 电平，PMOS源极接 电平。
A:高、低
B:高、高
C:低、高
D:低、低
答案: 低、高
4、 双极型TTL两种载流子工作的电流控制器件在抗幅射能力方面比单极型CMOS一种载流子工作的电压控制器件 。因为射线辐射对 浓度影响不大。
A:弱、多子
B:强、少子
C:弱、少子
D:强、多子
答案: 弱、多子
5、 双极型CMOS电路实现逻辑功能采用 器件，驱动输出级采用 射极跟随输出电路。
A:NMOS；TTL
B:CMOS；混合
C:CMOS；TTL
D:TTL；混合
答案: CMOS；TTL
6、 增加去耦合滤波电容为了消除 ，每一个芯片的电源与地之间接一个0.01uF~0.1uF的电容器滤除 。
A:直流；正弦波
B:尖峰电流；开关噪声
C:尖峰电流；直流
D:开关噪声；直流
答案: 尖峰电流；开关噪声
7、 TTL电路驱动CMOS电路，仅考虑 。
A:电压匹配
B:电流匹配
C:功率匹配
D:频率匹配
答案: 电压匹配
8、 由NMOS增强型管制成的有源负载。
A:栅极和电源连接在一起；
B:是两端元件；
C:栅极和源极连接在一起；
D:是三端元件。
答案: 栅极和电源连接在一起；;
是两端元件；
9、 典型TTL非门中的T1什么时候处于倒置状态？
A:输入接高电平；
B:输入接低电平；
C:前级输出高电平。
D:前级输出低电平。
答案: 输入接高电平；;
前级输出高电平。
10、 I2L的主要性能可选以下哪些？
A:抗干扰能力强；
B:功耗低；
C:结构简单；
D:6次光刻，4次扩散。
答案: 功耗低；;
结构简单；
11、 CMOS逻辑门有静态功耗和动态功耗能之分
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