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起止时间:2020-02-17到2020-03-15
更新状态:已完结
第一部分 课程概论 第一部分第一次测验
1、 题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。
A:2016年7月
B:2017年7月
C:2016年9月
D:2017年9月
答案: 2016年7月
2、 题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。
A:资本密集
B:技术密集
C:低风险
D:高风险
答案: 低风险
3、 题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
A:12
B:18
C:24
D:36
答案: 18
4、 题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。
A:More Moore
B:More than Moore
C:Beyond CMOS
D:SoC
答案: SoC
5、 题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
A:LSI
B:VLSI
C:ULSI
D:SoC
答案: VLSI
6、 题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
A:1947
B:1948
C:1957
D:1958
答案: 1947
7、 题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
A:1957
B:1958
C:1959
D:1960
答案: 1958
8、 题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是： 。
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 胡正明
9、 题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 张忠谋
10、 题1-1-10 世界第一块集成电路发明者： 。
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 基尔比
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断
2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽
3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
A:亚阈值区
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