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起止时间:2021-03-01到2021-07-01
更新状态:每5天更新一次
第一周：第0章绪言、第1章半导体二极管及其应用 就一题，试试
1、 
答案: 14
第二周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第1章半导体二极管及其应用自测题
1、 本征半导体中的自由电子浓度与空穴浓度的关系是
A:大于
B:小于
C:等于
D:无关
答案: 等于
2、 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 。
A:材料
B:温度
C:压力
D: 掺杂浓度
答案: 掺杂浓度
3、 在掺杂半导体中，少子的浓度受 的影响很大。
A:温度
B:掺杂工艺
C:掺杂浓度
D:压力
答案: 温度
4、 N型半导体 。
A:就是空穴型半导体
B:带正电
C:带负电
D:呈电中性
答案: 呈电中性
5、 环境温度升高，二极管的反向饱和电流
A:将增大
B:将减小
C:不变
D:无法判断
答案: 将增大
6、 普通二极管的正向电压降温度系数 。
A:为正
B:为负
C:为零
D:无法判断
答案: 为负
7、 确保二极管安全工作的两个主要参数分别是 和 。
A:正向管压降UD ，正向平均电流IF
B:正向平均电流IF ，反向饱和电流IS
C:正向管压降UD，反向耐受电压UR
D:正向平均电流IF，反向耐受电压UR
答案: 正向平均电流IF，反向耐受电压UR
8、 硅二极管的死区电压约为 。
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D:0.5V
答案: 0.5V
9、 二极管的伏安特性表示式为 。
A:
B:
C:
D:
答案:
10、 已知二极管的静态工作点UD和ID，则其静态电阻为 。
A:UD/ID
B:UT/ID
C:UD/IS
D:UT/IS
答案: UD/ID
11、 
答案: 1.3
12、 
答案: 0
13、 
答案: -1.3
14、 
答案: 2
15、 
答案: 1.3
16、 
答案: -2
17、 
答案: 14
18、 
答案: 6
19、 
答案: 6.7
20、 
答案: 0.7
第三周：第2章半导体晶体管及放大电路基础 第2章半导体晶体管及放大电路基础自测题（1）
1、 晶体管能够放大的外部条件是 。
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏
2、 当晶体管工作于饱和状态时，其 。
A:发射结正偏，集电结正偏
B:发射结反偏，集电结反偏
C:发射结正偏，集电结反偏
D:发射结反偏，集电结正偏
答案: 发射结正偏，集电结正偏
3、 硅晶体管的死区电压约为 。
A:0.1V
B:0.2V
C:0.3V
D: 0.5V
答案: 0.5V
4、 锗晶体管的导通压降|UBE|约为 。
A:0.1V
B:0.3V
C:0.5V
D:0.7V
答案: 0.3V
5、 测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA。则该管的b为 。
A:40
B:50
C:60
D:100
答案: 60
6、 温度升高，晶体管的电流放大系数b 。
A:无法判断
B:不变
C:减小
D:增大
答案: 增大
7、 温度升高，晶体管的管压降|UBE| 。
A:增大
B:减小
C:不变
D:无法判断
答案: 减小
8、 温度升高，晶体管输入特性曲线 。
A:右移
B:左移
C:不变
D:无法判断
答案: 左移
9、 温度升高，晶体管输出特性曲线的间隔 。
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