以下哪些是SOPC的基本特征( ) A:至少包含一个嵌入式处理器内核 B:可能包含部分模拟电路 C:低功耗 D:单芯片 答案: 至少包含一个嵌入式处理器内核 ,可能包含部分模拟电路 ,低功耗 ,单芯片如果线网类型变量说明后未赋值,起始缺省值

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以下哪些是SOPC的基本特征( ) A:至少包含一个嵌入式处理器内核 B:可能包含部分模拟电路 C:低功耗 D:单芯片 答案: 至少包含一个嵌入式处理器内核 ,可能包含部分模拟电路 ,低功耗 ,单芯片如果线网类型变量说明后未赋值,起始缺省值是( ) A:1 B:z C:x D:0 答案: z

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以下哪些是SOPC的基本特征( ) A:至少包含一个嵌入式处理器内核 B:可能包含部分模拟电路 C:低功耗 D:单芯片 答案: 至少包含一个嵌入式处理器内核 ,可能包含部分模拟电路 ,低功耗 ,单芯片如果线网类型变量说明后未赋值,起始缺省值第1张

以下哪些是SOPC的基本特征( ) A:至少包含一个嵌入式处理器内核 B:可能包含部分模拟电路 C:低功耗 D:单芯片 答案: 至少包含一个嵌入式处理器内核 ,可能包含部分模拟电路 ,低功耗 ,单芯片如果线网类型变量说明后未赋值,起始缺省值第2张

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Verilog HDL的抽象分层建模方式可划分为系统级和算法级建模方式寄存器级建模方式逻辑门级建模方式和晶体管开关级建模方式。 ( )
A:错
B:对
答案: 对

Verilog HDL是唯一一种硬件描述语言。( )
A:对
B:错
答案: 错

以下哪些属于可编程逻辑器件( )
A:CPLD
B:PAL
C:GAL
D:FPGA
答案: CPLD
,PAL
,GAL
,FPGA

以下哪些是FPGA和CPLD的相似点( )
A:可编程逻辑器件
B:采用SRAM工艺
C:可采用Verilog HDL 进行电路设计
D:器件密度可达到上千万门
答案: 可编程逻辑器件
,可采用Verilog HDL 进行电路设计

以下哪些是SOPC的基本特征( )
A:至少包含一个嵌入式处理器内核
B:可能包含部分模拟电路
C:低功耗
D:单芯片
答案: 至少包含一个嵌入式处理器内核
,可能包含部分模拟电路
,低功耗
,单芯片

如果线网类型变量说明后未赋值,起始缺省值是( )
A:1
B:z
C:x
D:0
答案: z

reg[7:0] mema[255:0]正确的赋值是 ( )
A:4’bxx11
B:4’bzz11
C:8’d0;
D:mema[5]=3’d0,
答案: mema[5]=3’d0,

“a=4`b11001,b=4’bx110”选择正确的运算结果( )
A:a&b=0
B:b&a=x
C:b&&a=x
D:a&&b=1;
答案: a&&b=1;

下列标识符中,( )是合法的标识符。
A:$finish
B:_date
C:8_sum
D:adder8#
答案: _date

下列语句中,不属于并行语句的是( )。
A:元件例化语句
B:case语句
C:assign语句
D:过程语句
答案: case语句

阻塞性赋值符号为<=,非阻塞性赋值符号为=。( )
A:对
B:错
答案: 错

某一纯组合电路输入为in1,in2和in3,输出为out,则该电路描述中always的事件表达式应写为always@( in1,in2,in3 ); ( )
A:错
B:对
答案: 对

若某一时序电路由时钟clk信号上升沿触发,同步高电平复位信号rst清零,该电路描述中always的事件表达是应该写为always@( posedge clk or rst)。 ( )
A:错
B:对
答案: 错

Verilog HDL中内置了12种类型的基本门级元件模型。( )
A:错
B:对
答案: 对

bufif0是Verilog HDL中内置的基本门级元件:控制信号高电平有效的三态缓冲器。( )
A:对
B:错
答案: 错



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