集成电路设计基础(上海建桥学院)1453004487中国大学mooc慕课答案2024版100分完整版

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起止时间:2020-03-02到2020-06-25
更新状态:已完结

第一部分 课程概论 第一章 单元测验

1、 中国高端芯片联盟正式成立时间是:

A:2017年7月
B:2016年7月
C:2017年9月
D:2016年9月
答案: 2016年7月

2、 如下不是集成电路产业特性的是

A:低风险
B:高投入
C:高技术
D:技术密集
答案: 低风险

3、 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目,约每隔: 个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。

A:24
B:18
C:36
D:12
答案: 18

4、 摩尔定律之后,集成电路发展有三条主线,以下不是集成电路发展主线的是: 。

A:More than Moore
B:More Moore
C:SoC
D:Beyond CMOS
答案: SoC

5、 单个芯片上集成约50万个器件,按照规模划分,该芯片为: 。

A:SoC
B:ULSI
C:LSI
D:VLSI
答案: VLSI

6、 年发明了世界上第一个点接触型晶体管

A:1958
B:1947
C:1948
D:1957
答案: 1947

7、 年发明了世界上第一块集成电路

A:1957
B:1959
C:1960
D:1958
答案: 1958

8、 FinFET等多种新结构器件的发明人是: 。

A: 基尔比
B:张忠谋
C:胡正明
D:摩尔
答案: 胡正明

9、 集成电路代工产业的缔造者: 。

A:. 基尔比
B:张忠谋
C:胡正明
D:摩尔
答案: 张忠谋

10、 世界第一块集成电路发明者:

A:摩尔
B:基尔比
C:胡正明
D:张忠谋
答案: 基尔比

第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验

1、 题2-1-1、MOS管一旦出现()现象,此时的MOS管将进入饱和区。

A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断

2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中,最先出现的是( )。

A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽

3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在()区。

A:亚阈值区

       

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