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起止时间:2020-03-30到2020-07-02
更新状态:已完结
第一部分 课程概论 第一部分第一次测验
1、 题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。
A:2016年7月
B:2017年7月
C:2016年9月
D:2017年9月
答案: 2016年7月
2、 题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。
A:资本密集
B:技术密集
C:低风险
D:高风险
答案: 低风险
3、 题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
A:12
B:18
C:24
D:36
答案: 18
4、 题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。
A:More Moore
B:More than Moore
C:Beyond CMOS
D:SoC
答案: SoC
5、 题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
A:LSI
B:VLSI
C:ULSI
D:SoC
答案: VLSI
6、 题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
A:1947
B:1948
C:1957
D:1958
答案: 1947
7、 题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
A:1957
B:1958
C:1959
D:1960
答案: 1958
8、 题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是： 。
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 胡正明
9、 题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 张忠谋
10、 题1-1-10 世界第一块集成电路发明者： 。
A:基尔比
B:摩尔
C:张忠谋
D:胡正明
答案: 基尔比
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第一次测验
1、 题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 夹断
2、 题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
A:反型
B:夹断
C:耗尽
D:导通
答案: 耗尽
3、 题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
A:亚阈值区
B:深三极管区
C:饱和区
D:三极管区
答案: 饱和区
4、 题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
A:电子
B:空穴
C:正电荷
D:负电荷
答案: 空穴
5、 题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
A:夹断层
B:反型层
C:导电层
D:耗尽层
答案: 反型层
6、 题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A:截止区
B:深三极管区
C:三极管区
D:饱和区
答案: 饱和区
7、 题2-1-7、在NMOS中，若
, 会使阈值电压（）。
A:增大
B:不变
C:减小
D:可大可小
答案: 增大
8、 题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
A:大
B:小
C:近似于W
D:精确
答案: 大
9、 题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
A:
B:
C:
D:
答案:
10、 题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻
是由MOS管的（）效应产生的。
A:体
B:衬偏
C:沟长调制
D:亚阈值导通
答案: 沟长调制
第二部分半导体器件物理基础 第二部分第二次测试
1、 题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
A:栅极氧化层电容
B:耗尽层电容
C:源漏交叠电容
D:结电容
答案: 栅极氧化层电容
2、 题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
A:截止
B:三极管
C:深三极管
D:饱和
答案: 饱和
3、 题2-2-3、 下列说法正确的是（ ）。
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