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起止时间:2021-02-21到2021-07-12
更新状态:每5天更新一次
第1章 半导体二极管及其应用 第1章单元测验
1、 N型半导体中的多数载流子为（ ）。
A:空穴
B:正离子
C:自由电子
D:负离子
答案: 自由电子
2、 硅二极管的正向特性与锗二极管相比，门槛电压值是（ ）。
A:锗二极管的较大
B:锗二极管的较小
C:硅二极管的较小
D:两者差不多大
答案: 锗二极管的较小
3、 正向工作时，二极管的电流越大，它呈现的直流电阻（ ）。
A:越大
B:越小
C:不变
D:怎么变化还要其他条件
答案: 越小
4、 正常工作时，稳压管应工作在（ ）状态。
A:零偏
B:正向导通
C:反向截止
D:反向击穿
答案: 反向击穿
5、 正常工作时，光电二极管应工作在（ ）状态。
A:正向导通
B:反向击穿
C:反偏
D:零偏
答案: 反偏
6、 正向工作时，二极管的静态电流越大，它呈现的交流电阻越大。
A:正确
B:错误
答案: 错误
7、 一般来说，发光二极管的正向导通电压比普通二极管的大。
A:正确
B:错误
答案: 正确
8、 温度升高时，二极管的反向饱和电流增大。
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 下图所示电路中,设二极管具有理想特性，当输入电压uI等于5V时，输出电压uo等于 V。
答案: 2
10、 下图所示电路中，若稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和8V，稳定电流均为3mA，则在不考虑安全工作的情况下，输出电压Uo等于 V。
答案: 6
第2章 半导体三极管及其基本应用 第2章单元测验
1、 1、NPN和PNP型晶体管的区别取决于( )。
A:半导体材料（比如硅与锗）不同
B:掺杂浓度的不同
C:P型区和N型区的位置不同
D:集电结面积不同
答案: P型区和N型区的位置不同
2、 2、晶体三极管（BJT）属于（ ）器件。
A:电阻型
B:电感型
C:电流控制型
D:电压控制型
答案: 电流控制型
3、 3、场效应管（FET）属于（ ）器件。
A:电流控制型
B:电压控制型
C:电阻型
D:电感型
答案: 电压控制型
4、 4、为使双极型晶体管（BJT)工作于放大状态，其两个PN结的偏置情况必须为（ ）。
A:发射结与集电结都正偏
B:发射结正偏，集电结反偏
C:发射结反偏，集电结正偏
D:发射结与集电结都反偏
答案: 发射结正偏，集电结反偏
5、 5、下列场效应管中，没有原始导电沟道的是（ ）。
A:结型场效应管
B:耗尽型P沟道MOS管
C:增强型N沟道MOS管
D:耗尽型N沟道MOS管
答案: 增强型N沟道MOS管
6、 6、晶体管（BJT）具有电流放大作用的内部条件之一是发射区高掺杂。
A:正确
B:错误
答案: 正确
7、 7、晶体管（BJT）的共射与共基电流放大倍数都大于1 。
A:正确
B:错误
答案: 错误
8、 8、晶体管（BJT）具有电流放大作用，跟外部电路没有关系。
A:正确
B:错误
答案: 错误
9、 9、P沟道场效应管的导电通道是P型半导体。
A:正确
B:错误
答案: 正确
10、 10、晶体管的小信号模型（即微变等效电路）可用于分析其静态工作点。
A:正确
B:错误
答案: 错误
第3章 放大电路基础 第3章单元测验1
1、 某放大器的中频电压增益为20dB，说明其中频电压放大倍数为( )倍。
A:20
B:10
C:100
D:1000
答案: 10
2、 在信号源不变的情况下，放大电路的输入电阻越大，它向信号源索取的电流值( )。
A:越小
B:越大
C:与输入电阻值无关
D:与信号源无关
答案: 越小
3、 在电容耦合的放大电路中，耦合电容对输入交流信号应可视为( )。
A:电流源
B:断路
C:短路
D:电压源
答案: 短路
4、 为了获得电压放大，同时又有输出电压与输入电压反相，应选用( )放大电路。
A:共发射极
B:共基极
C:共集电极
D:共漏极
答案: 共发射极
5、 下列放大电路中，不可能有电压放大能力的是( )放大电路。
A:共基极
B:共源极
C:共集电极
D:共发射极
答案: 共集电极
6、 下列基本放大电路中，输入电阻最小的是( )放大电路。
A:共发射极
B:共基极
C:共源极
D:共集电极
答案: 共基极
7、 同一放大电路，对任何频率正弦交流信号的放大能力都是相同的。
A:正确
B:错误
答案: 错误
8、 放大电路的输出电阻越大，说明带负载能力越强。
A:正确
B:错误
答案: 错误
9、 放大电路必须加上合适的直流电流和电压才能基本不失真放大交流信号。
A:正确
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