信号是信息的载体。（ ）A:允许的最大正向平均电流 B:允许的最大反向电流 C:允许的最大反向平均电流 D:允许的最大正向电流  答案: 允许的最大正向平均电流A:错 B:对 答案: 对场效应管用于放大时，应工作在（ ）。 

当温度上升时，二极管反向饱和电流将（ ）。

A:无法确定
B:减小
C:不变
D:增加
答案: 增加

二极管两端电压大于（ ）电压时，二极管才导通。

A:死区
B:截止
C:饱和
D:击穿
答案: 死区

若用万用表测二极管的正反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ ）。

A:正向电阻大，反向电阻小
B:正反向电阻都等于无穷大
C:正向电阻小，反向电阻大
D:正反向电阻相等
答案: 正向电阻小，反向电阻大

PN结加正向电压的作用下，扩散电流（ ）漂移电流。

A:小于
B:不确定
C:等于
D:大于
答案: 大于

锗二极管的死区电压为（ ）。

A:0.2V
B:0.4V
C:0.5V
D:0.7V
答案: 0.2V

PN结加正向电压时，其正向电流是由（ ）的。
A:多数载流子扩散而成
B:多数载流子漂移而成  
C:少数载流子扩散而成
D:少数载流子漂移而成
答案: 多数载流子扩散而成

P型半导体是在本征半导体中加入（ ）物质后形成的。

A:五价磷元素
B:空穴
C:三价硼元素
D:电子
答案: 三价硼元素

稳压管一般工作于（ ）状态。

A:反向截止
B:反向击穿
C:正向导通
答案: 反向击穿

在二极管的参数中，最大整流电流IF指的是（ ）。

A:允许的最大正向平均电流
B:允许的最大反向电流
C:允许的最大反向平均电流
D:允许的最大正向电流 
答案: 允许的最大正向平均电流

场效应管用于放大时，应工作在（ ）。 

A:截至区
B:可变电阻区
C:饱和区
D:击穿区
答案: 饱和区

场效应管的控制方式为（ ）。

A:输入电压控制输出电压
B:输入电压控制输出电流
C:输入电流控制输出电压
D:输入电流控制输出电流
答案: 输入电压控制输出电流

场效应管属于（ ）控制型器件。
A:电流
B:电容
C:电感 
D:电压
答案: 电压

场效应管相比于三极管，以下说法错误的是（ ）。
A:场效应管温度稳定性好，三极管热稳定性差
B:场效应管的DS间可等效为一电流控制电压源，三极管的CE之间可等效为一电流控制电流源
C:场效应管输入电阻高，三极管相对较低
D:场效应管属于单极型器件，三极管是双极型
答案: 场效应管的DS间可等效为一电流控制电压源，三极管的CE之间可等效为一电流控制电流源

P沟道增强型FET的开启电压为（ ）。
A:负值
B:无
C:0
D:正值
答案: 负值

场效应管是用（ ）控制漏极电流的。
A:漏源电压
B:漏源电流
C:栅源电流
D:栅源电压
答案: 栅源电压

结型场效应管发生预夹断后，管子进入（ ）。
A:可变电阻区
B:饱和区
C:恒流区
D:截止区
答案: 恒流区

增强型PMOS管的开启电压（ ）。
A:大于零
B:大于零或小于零
C:小于零
D:等于零
答案: 小于零

N沟道MOSFET的漏极电流是由载流子的漂移运动生成的，这种载流子是（ ）。
A:电子
B:空穴
C:电子和空穴
D:离子
答案: 电子

图1（a）（b）分别代表（ ）绝缘栅场效应管。

(a)

(b)

A:P沟道耗尽型与N沟道增强型  
B:P沟道增强型与N沟道耗尽型
C:N沟道耗尽型与P沟道增强型                                     
D:N沟道增强型与N沟道耗尽型
答案: P沟道耗尽型与N沟道增强型  

测得某电路中三极管各极电位分别是3V2.3V12V则三极管的三个电极分别是（   ），该管是（    ）。

A:PNP
B:BCE
C:BEC
D:EBC
E:NPN
答案: BEC

共射极放大电路的交流输出波形上半周失真为（    ）失真。
A:饱和
B:频率
C:截止
D:交越
答案: 截止

两个β相等的晶体管组成复合管后，其电流放大系数为（    ）。

A:2β
B:

C:β
D:1+β
答案:

既能放大电流又能放大电压的放大电路是（    ）。
A:共珊极
B:共射极
C:共基极
D:共集电极
答案: 共射极

如果NPN型三极管测得发射结正偏，集电结正偏，则此管的工作状态为（    ）。
A:截止状态
B:不能确定
C:放大状态
D:饱和状态
答案: 饱和状态

晶体管的控制方式是（    ）。
A:输入电压控制输出电流
B:输入电流控制输出电压
C:输入电流控制输出电流
D:输入电压控制输出电压
答案: 输入电流控制输出电流

射极输出器（    ）。
A:没有电流放大作用，也没有电压放大作用
B:有电流放大作用，无电压放大作用
C:有电流放大作用，也有电压放大作用
D:有电压放大作用，无电流放大作用
答案: 有电流放大作用，无电压放大作用

关于BJT放大电路中的静态工作点（Q点），下列说法中不正确的是（    ）。
A:Q点过高会产生饱和失真
B:导致Q点不稳定的主要原因是温度变化
C:Q点可以采用微变等效电路求得
D:Q点过低会产生截止失真
答案: Q点可以采用微变等效电路求得

复合管组成的电路可以（    ）。
A:提高电流放大系数
B:扩展频带        
C:改变管子类型
D:减小温飘
答案: 提高电流放大系数

当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为（     ）。

A:

B:不确定
C:

D:

答案:

关于三极管的频率参数说法错误的是（ ）。
A:

B:电流放大系数β随频率的增加而减小。
C:使

下降为0.707

时的信号频率称为共射截止频率

D:使

下降到0dB时的信号频率是特征频率

答案:

当信号频率等于放大电路的下限频率

时，放大倍数下降为中频的（ ）倍。
A:0.5
B:0.7
C:1 
D:0.9
答案: 0.7

多级放大电路的通频带要比组成它的任何一级的通频带（ ）。

A:无法确定
B:窄
C:相同                   
D:宽
答案: 窄

在低频区，影响放大倍数衰减的电容是（ ）。
A:势垒电容
B:扩散电容
C:耦合电容
D:极间电容
答案: 耦合电容

在高频区，影响放大倍数衰减的原因是（ ）。
A:工作点不合理
B:输入信号过大
C:极间电容影响
D:耦合电容影响
答案: 极间电容影响

当信号频率等于放大电路的下限频率

时，放大倍数下降（ ）分贝。

A:5                       
B:6
C:4
D:3
答案: 3

测试放大电路输出电压幅值和相位的变化，可以得到它的频率特性，条件是（ ）。
A:输入电压幅值和频率都改变            
B:输入电压幅值不变，改变频率           
C:输入电压幅值改变，频率不变        
答案: 输入电压幅值不变，改变频率           

对于单管共射放大电路，当

时输出电压与输入电压的相位差是（ ）。
A:-90°
B:- 135°
C:-45°
D:-180°
答案: – 135°

某放大电路电压增益频率特性表达式为：

该电路的上下限频率中频电压增益的分贝数是40。

A:错
B:对
答案: 对

某放大电路的幅频特性曲线如图1所示：当频率等于上下限频率时，该电路实际的电压增益是60分贝。

A:对
B:错
答案: 错