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起止时间:2020-10-23到2021-01-24
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第五讲 双极型晶体管 Test1 二极管和晶体管
1、 N型半导体中的多数载流子是（）。
A:空穴
B:自由电子
C:正离子
D:负离子
答案: 自由电子
2、 P型半导体中的多数载流子是（）。
A:空穴
B:自由电子
C:正离子
D:负离子
答案: 空穴
3、 P型半导体（）。
A:带正电
B:带负电
C:呈中性
D:不确定
答案: 呈中性
4、 PN结中扩散电流的方向是（）。
A:从P区到N区
B:从N区到P区
C:双向流动
D:随机变化
答案: 从P区到N区
5、 PN结中漂移电流的方向是（）。
A:从P区到N区
B: 从N区到P区
C:双向流动
D:变化
答案: 从N区到P区
6、 当PN结外加反向电压时，耗尽层（）。
A:变宽
B: 变窄
C:不变
D:不确定
答案: 变宽
7、 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（） 。
A:多数载流子浓度增大
B:少数载流子浓度增大
C:多数载流子浓度减小
D:少数载流子浓度减小
答案: 少数载流子浓度增大
8、 万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω，若改用R×1k档，测量同一二极管，则其正向电阻值（）。
A:增加
B:不变
C:减小
D:不能确定
答案: 增加
9、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。
A:BCE
B:EBC
C:CEB
D:CBE
答案: CBE
10、 用直流电压表测某电路晶体管的三个电极对地的电压分别如图所示。则1、2、3号管脚分别为（）。
A:BCE
B:EBC
C: BEC
D:CBE
答案: BEC
11、 在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为–2.5V、–3.2V、–9V，这三极管的类型是（ ）。
A:PNP型Ge管
B: PNP型Si管
C:NPN型Ge管
D: NPN型Si管
答案: PNP型Si管
12、 在放大电路中，若测得某管的三个极电位分别为1V、1.2V、6V，这三极管的类型是（ ）。
A:PNP型Ge管
B:PNP型Si管
C: NPN型Ge管
D:NPN型Si管
答案: NPN型Ge管
13、 一个NPN管在电路中正常工作，现测得：UBE>0，UBC>0， UCE>0，则此管工作区为（）。
A:饱和区
B:截止区
C: 放大区
D:不确定
答案: 饱和区
14、 电路图如图所示，设二极管的导通电压均为0.7V，则D1，D2，D3三个二极管的状态分别为（）。
A:均导通
B:截止 导通 截止
C:导通 导通 截止
D:导通 截止 导通
答案: 导通 截止 导通
15、 如图所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在（）区。
A:放大区
B:饱和区
C:截止区
D:不确定
答案: 饱和区
16、 二极管电路如图a所示。在输入ui的作用下（ui波形如图b所示），其输出波形为（）。
A:
B:
C:
D:
答案:
17、 判断右图电路中各二极管是否导通后，可求出VAO值为（）。（设二极管的正向压降VF为0.7V。）
A:5V
B: -6.3V
C: 6.3V
D: -5.3V
答案: -5.3V
18、 在如图所示电路中，计算可得流过二极管的电流ID为（）。（设二极管导通时的正向压降UD=0.7V）。
A: 0mA
B: 3.6mA
C:2.75mA
D: 4.8mA
答案: 0mA
19、 一个NPN管在电路中正常工作，现测得UBE>0，UBC<0，UCE>0，则此管工作区为（ ）。
A:饱和区
B: 截止区
C:放大区
D:不确定
答案: 放大区
20、 晶体管的控制方式为（）。
A:电流控制电压
B:电流控制电流
C:电压控制电流
D:电压控制电压
答案: 电流控制电流
21、 在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。则当U降低到50V时，则I约为（）。
A:0.1μA
B:0.5μA
C:1μA
D:2μA
答案: 1μA
22、 在如下电路中，已知二极管的反向击穿电压为300V，当U=100V、温度为20°C时，I=1μA。当U保持100V不变，温度降低到10°C时，则I约为（）。
A:0.1μA
B:0.5μA
C:1μA
D:2μA
答案: 0.5μA
23、 如下电路中的晶体管为硅管，β=100，则晶体管的工作状态为（）。
A:放大
B:截止
C:饱和
D:不确定
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